薄栅CMOS的可靠性模型

• 作者: 刘鹏飞 吴月花 廖京宁 李志国 郭春生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TDDB 热载流子 热阻 结温
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 257-261
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 3296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.065

摘要

介绍了两种与栅氧化层失效有关的模型以及用于估计芯片寿命的热阻模型.随着晶体管特征尺寸的减小,现有的栅失效模型不能提供准确的计算和预测,因此提出了新的适用于小尺寸晶体管的栅失效模型.同时提出了用于评价芯片寿命的热阻和结温的估计模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴月花	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	15	2.0	3.0
2	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	418	12.0	18.0
3	廖京宁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	8	2.0	2.0
4	郭春生	北京工业大学电子信息与控制工程学院	44	302	10.0	15.0
5	刘鹏飞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	13	22	3.0	4.0