硼缓冲注入层对氮化硼薄膜生长的影响

• 作者: 张平 蔡志海 谭俊
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氮化硼薄膜 高速钢基体 离子注入 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 离子束技术的应用
• 页码范围: 116-119
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2006.02.010

摘要

采用射频磁控溅射法在注硼的硅和高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜,采用红外光谱(Infrared spectra,IR)、X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectrum,XPS)和原子力显微镜(Atomicforce microscopy, AFM)等分析方法对沉积的薄膜进行了表征分析.实验结果表明:硅基体上离子注硼有利于c-BN薄膜内应力的降低;合适的注硼量注入高速钢基体有利于c-BN的生成和薄膜内应力的降低.AFM分析表明,注硼处理的高速钢基体上沉积的薄膜表面形貌平整,结晶性较好.此外也采用XPS方法对硅和高速钢基体硼过渡层进行了成分与组织结构分析,探索研究了硼缓冲层对c-BN薄膜生长的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张平	装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室	83	816	13.0	24.0
2	蔡志海	装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室	46	275	10.0	12.0
3	谭俊	装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室	49	427	9.0	19.0