变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性

• 作者: 冯倩 张进城 张金风 杨燕 王冲 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 二维电子气 传输线模型 泄漏电流
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 864-868
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.019

摘要

通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25～200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律.得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成,沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论.同时,证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因.