发光二极管中负电容现象的机理

• 作者: 冯列峰 曾志斌 朱传云 王存达 陈永
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管(LEDs) 负电容(NC) 连续性方程
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.01.002

摘要

为解释发光二极管(LEDs)中的负电容(NC)现象,提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型,首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的解析表达式.理论结果表明,在一定的范围内激活区载流子复合速率越大,LEDs中的NC效应越显著,这与实验结果完全一致.它表明,LEDs中的NC是由其激活区载流子复合引起的,而非外部原因造成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯列峰	天津大学应用物理学系	9	47	4.0	6.0
2	朱传云	佛山科学技术学院光电子与物理学系	15	45	3.0	6.0
3	陈永	天津大学应用物理学系	3	31	3.0	3.0
4	曾志斌	天津大学应用物理学系	4	43	3.0	4.0
5	王存达	天津大学应用物理学系	9	76	6.0	8.0