飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及Ⅰ-Ⅴ特性研究

• 作者: 周幼华 杨光 郑启光 陆培祥 龙华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 飞秒 脉冲激光沉积法(PLD) 钛酸铋 铁电薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1230-1236
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 4355字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.033

摘要

采用飞秒脉冲激光沉积系统,在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜.X射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈c轴择优取向,晶粒的平均直径为20nm.在500℃沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈a轴择优取向.测量了薄膜的电滞回线和Ⅰ-Ⅴ特性曲线,并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性曲线和铁电性的关联性.a轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC/cm2,矫顽力Ec=48kV/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑启光	华中科技大学激光技术国家重点实验室	32	305	10.0	15.0
2	陆培祥	华中科技大学激光技术国家重点实验室	44	232	9.0	12.0
3	杨光	华中科技大学激光技术国家重点实验室	50	460	11.0	20.0
4	周幼华	华中科技大学激光技术国家重点实验室	12	68	6.0	7.0
6	龙华	华中科技大学激光技术国家重点实验室	23	294	9.0	16.0