体硅LDMOS漂移区杂质分段线性注入模型研究

• 作者: 孙伟锋 时龙兴 易扬波 陆生礼
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿电压 导通电阻 分段线性
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 976-981
• 页数: 6页
• 分类号: TN710
• 字数: 982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.005

摘要

提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsuprem-4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LDMOS增加58.8%和降低87.4%.