MgxZn1-xO结构性质

• 作者: 康俊勇 陈晓航
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgZnO半导体 晶格结构 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 761-765
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.025

摘要

采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化.计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构.对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离.另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致.进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子.随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用.