真空辐射加热基片的温度分布

• 作者: 唐锦荣 李帅辉 樊菁 舒勇华
• 来源期刊: 力学与实践
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜气相沉积 真空辐射加热 基片温度分布
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 应用研究
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: O3
• 字数: 4089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0879.2006.03.004

摘要

真空辐射加热下基片表面温度分布的均匀性是薄膜制备中的关键问题之一.采用数值计算和比色红外测温两种方法,研究了作者自行研制的真空辐射加热器(IMCAS-VRH)的性能.利用IMCAS-VRH加热直径6in的单晶硅基片,当电功率为3860W时,基片表面平均温度为1093K,整个基片上的温度变化的测量值约为6 K.基片表面温度分布的计算结果与测量数据符合得很好,进一步的计算分析表明钼丝对辐射的遮挡效应、隔热屏和基片热传导等对基片温度分布均匀性有重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	舒勇华	中国科学院力学研究所高温气体动力学重点实验室	8	32	3.0	5.0
2	樊菁	中国科学院力学研究所高温气体动力学重点实验室	28	182	7.0	13.0
3	李帅辉	中国科学院力学研究所高温气体动力学重点实验室	5	2	1.0	1.0
4	唐锦荣	中国科学院力学研究所高温气体动力学重点实验室	3	6	2.0	2.0