填充银纳米线各向同性导电胶的性能

• 作者: 刘金芳 吴希俊 吴海平 张国庆 王幼文
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 各向同性 导电胶 纳米线 银粒子
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TB333
• 字数: 4352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3851.2006.05.005

摘要

以Ti(OC4H9)4水解形成的溶胶体系为模板,以AgNO3为银纳米线的前驱体,低温下合成长径比为50～60的银纳米线,采用TEM和XRD对所制得的银纳米线进行表征.以银纳米线作为导电胶的导电填料,成功制备了一种高电导率的各向同性导电胶.导电胶的电学性能和力学性能测试表明:这种导电胶在导电填料含量为56 wt%时的电导率比填充75 wt%微米银粒子的导电胶高约6倍(体积电阻率为1.2×10-4Ω·cm).由于填料含量的降低,该导电胶的抗剪切强度(以Al为基板时的抗剪切强度为17.6 MPa)相比于填充75 wt%微米银粒子和75 wt%纳米银粒子导电胶均有不同程度的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王幼文	浙江大学分析测试中心	26	396	10.0	19.0
2	张国庆	浙江理工大学分析测试中心	16	68	4.0	8.0
3	吴海平		2	59	2.0	2.0
4	吴希俊		2	59	2.0	2.0
5	刘金芳		2	59	2.0	2.0