铝表面SiOx薄膜结合性能与机理研究

• 作者: 张际亮 沃银花 王幼文 甘正浩 郦剑
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝基 SiOx薄膜 弯曲实验 结合力 机理
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 68-70
• 页数: 3页
• 分类号: TB43|TN304.12
• 字数: 1695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6264.2006.01.017

摘要

应用化学气相沉积(CVD)方法在铝表面形成SiOx陶瓷涂层,通过弯曲实验研究了涂层与基体的结合性能.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了弯曲部位的表面形貌,弯曲过程表述为表面凹坑与内部孔洞联合长大,形成长条裂纹状沟槽或突脊,最后裂纹长大直至断裂.研究表明,基底与膜层结合良好,形成高结合力的原因是铝基底与表面SiOx膜层间过渡层中的Al-O与Si-O键合能很高,键合稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郦剑	浙江大学材料系	81	743	15.0	23.0
2	沃银花	浙江大学材料系	21	155	8.0	11.0
3	王幼文	浙江大学材料系	26	396	10.0	19.0
4	张际亮	浙江大学材料系	5	19	3.0	4.0