铝注入的电力半导体器件产品的优势及其进一步开发

• 作者: A.普鲁姆顿 A.米林顿 S.柯雷
• 来源期刊: 电气技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双注入("i2") 铝注入技术 功率双极半导体器件 高压直流输电 (HVDC)
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 82-86
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3800.2006.07.025

摘要

Dynex半导体公司用于功率双极半导体器件制造的铝注入技术("i2")的问世得到文献的肯定.本文介绍采用这种技术所获得的各种益处,特别讨论满足增加HVDC(高压直流输电)开关功率的需求、改善整流二极管制造能力、提高脉冲电源的极高电压/极大电流能力,以及大面积晶闸管并联均流的有效参数匹配等重要课题.本文也涉及到器件键合和150mm直径的硅片制造事项."i2"技术的灵活性最适合于为可预见的未来提供最佳的功率器件.