CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能

• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: CBD CdS薄膜 CIGS太阳电池
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 页码范围: 682-686
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2813字
• 语种: 中文

摘要

在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤.CdS薄膜的电阻率在104～105Ω·cm之间.CdS薄膜的晶格在乙酸胺浓度较小时,为六方晶和立方晶混合结构;乙酸胺浓度较大时,为立方晶结构.利用六方晶与立方晶混合的CdS制备的CIGS太阳电池,光电转换效率最大可达12.1%,3.5×3.6cm2小面积组件为6.6%.立方相CdS制备的最佳电池效率达到12.17%.两种晶相结构的CdS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别.