纳米晶Pd修饰p-Si电极的制备及其光电析氢性能

• 作者: 姚素薇 张卫国 李贺 王宏智 贲宇恒
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 纳米晶 Pd/p-Si电极 化学沉积 析氢
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 能源与环境工程
• 页码范围: 932-936
• 页数: 5页
• 分类号: O646
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-1157.2006.04.040

摘要

在半导体p型Si上化学沉积金属Pd,制备了纳米晶Pd修饰p-Si电极.控制化学沉积的时间,可得到不同沉积量和不同尺度的Pd颗粒,沉积时间为20 min时,Pd颗粒的直径约为80 nm.XRD测试结果表明,Pd颗粒的平均晶粒尺寸为7.37 nm.重点研究了Pd/p-Si电极在光照前后的催化析氢性能.光照下Pd/p-Si电极的析氢过电位较无光照减小约250 mV,比半导体Si减小约450 mV(电流密度为2.5 mA·cm-2时).电化学交流阻抗谱(EIS)表明,光照下Pd/p-Si电极的电化学析氢反应电阻由未光照的593.12 Ω·cm2降低至442.20 Ω·cm2,光照下的析氢反应速率明显增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宏智	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	93	1077	20.0	28.0
2	张卫国	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	137	1608	22.0	33.0
3	姚素薇	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	159	2047	26.0	36.0
4	李贺	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	12	223	8.0	12.0
5	贲宇恒	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	7	130	5.0	7.0