激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响

• 作者: 孙建 张晓丹 朱峰 赵颖 高艳涛 魏长春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 甚高频等离子增强化学气相沉积 本征微晶硅 激发频率
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1497-1501
• 页数: 5页
• 分类号: O53
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.03.084

摘要

采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法制备了硅烷浓度分别为6%和7%,随激发频率变化(40-70MHz)的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜材料.研究了材料的电学特性、结构特性、沉积速率与激发频率之间的关系.结果发现材料的光敏性随频率的增加先降低后提高,晶化率和沉积速率的变化趋势与之相反;在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射峰最高.并从光发射谱的角度研究了材料结构和沉积速率随频率变化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙建	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	67	311	10.0	14.0
2	赵颖	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	105	1195	16.0	33.0
3	张晓丹	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	57	247	7.0	14.0
4	魏长春	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	24	126	6.0	10.0
5	高艳涛	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	4	34	3.0	4.0
6	朱峰	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	8	1.0	1.0