新型半导体材料SiC

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体材料 SIC Silicon 高压器件 电动汽车 高功率 碳化硅 高速度 抗辐射 电输运
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 63
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.2

摘要

SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，作为Si等半导体材料的重要补充，可制作出性能更加优异的高温（300～500℃）、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。SiC高功率、高压器件对于公电输运和电动汽车等节能具有重要意义。Silicon（硅）基器件的发展，未来已没有可突破的空间了，目前研究的方向是SiC（碳化硅）等下一代半导体材料，这种新器件将在今后5～10年内出现，它的出现会产生革命性的影响。