薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化

• 作者: 刘梦新 张新 杨媛 王彩琳 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽 自加热效应 高温 瞬态特性 DSOI 互补金属-氧化物-半导体倒相器
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1120-1124
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.034

摘要

在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN-DSOI结构.结果显示,SOI CMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN-DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化学院电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	王彩琳	西安理工大学自动化学院电子工程系	43	203	8.0	12.0
3	杨媛	西安理工大学自动化学院电子工程系	92	559	12.0	19.0
4	刘梦新	西安理工大学自动化学院电子工程系	9	19	3.0	4.0
5	张新	西安理工大学自动化学院电子工程系	11	49	4.0	6.0