MOSFET漏源极电压反馈限流

• 作者: 万文斌 文明 王民康
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 脉宽调制 控制/金属-氧化物-半导体-场效应晶体管 漏-源极电压
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 其它
• 页码范围: 134-135
• 页数: 2页
• 分类号: TM3
• 字数: 2014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2006.06.048

摘要

介绍了一种脉宽调制(PWM)电机调速系统的电流控制方法.根据MOSFET的自身导通电压与电流之间的关系特性,对MOSFET漏-源极电压进行采样,并结合控制触发脉冲,实现了对功率器件的脉宽限制,达到了电流限制目的,从而省去了电流直接检测元件,具有很好的实际应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万文斌		18	158	7.0	12.0
2	王民康		1	0	0.0	0.0
3	文明	中科院合肥智能机械研究所	1	0	0.0	0.0