激光剥离Al2O3/GaN中GaN材料温度场的模拟

• 作者: 刘斌 沈光地 王婷 郭霞
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 温度场 激光剥离 脉冲激光 GaN
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 2005年全国博士生学术论坛光学工程专栏
• 页码范围: 101-105
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 2381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2006.03.023

摘要

对激光剥离Al2O3/GaN技术,建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型.计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时,GaN外延层内的温度场分布,由此得到激光剥离的阈值条件.采用紫外KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,样品表面显微镜和端面扫描电镜(SEM)测试照片说明,计算结果与实验现象相符. 进一步分析表明,脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数,适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在100nm以内,实现高效低损伤激光剥离.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地		6	48	3.0	6.0
2	王婷		1	3	1.0	1.0
3	郭霞		2	38	2.0	2.0
4	刘斌		1	3	1.0	1.0