用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角

• 作者: 张国义 徐科 杨学林 杨志坚 潘尧波 苏月永 郭立平 陈志涛
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 马赛克结构 扭曲角 掠入射X射线衍射 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 514-518
• 页数: 5页
• 分类号: O474|O482.31|TN383.1
• 字数: 1633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.04.016

摘要

Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(10(-1)3)、(10(-1)2)、(10(-1)1)、(20(-2)1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角.另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(1100)面反射φ扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同.从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础.