超高密度电学信息存储研究进展

• 作者: 元文芳 吴惠萌 商艳丽 姜桂元 宋延林 温永强 高鸿钧
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 超高密度信息存储 纳米/分子电子学 扫描探针显微镜
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 773-778
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 6615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.09.019

摘要

21世纪是经济信息化、信息数字化的高科技时代,信息的爆炸式增长及电子器件持续微型化的要求需要不断研究和开发更高存储密度、更快响应速度、更长存储寿命及可反复读、写的材料和器件.在纳米/分子尺度上实现存储功能的超高密度信息存储已成为当前信息领域一个倍受关注的研究热点.本文从存储材料和技术角度介绍了基于电学双稳态的超高密度信息存储最新研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高鸿钧	中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室	44	262	10.0	14.0
2	商艳丽	中国科学院化学研究所有机固体重点实验室	2	15	1.0	2.0
3	温永强	中国科学院化学研究所有机固体重点实验室	4	25	3.0	4.0
4	吴惠萌	中国科学院化学研究所有机固体重点实验室	2	42	2.0	2.0
5	姜桂元	中国科学院化学研究所有机固体重点实验室	1	14	1.0	1.0
6	元文芳	中国科学院化学研究所有机固体重点实验室	2	19	2.0	2.0