低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜

• 作者: 刘萍 卢景霄 张丽伟 张宇翔 王生钊 王红娟 陈永生
• 来源期刊: 可再生能源
• 学科: 工学
• 关键词: 快速热退火 非晶硅薄膜 暗电导
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试验
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-5292.2006.03.004

摘要

利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入特制的快速热退火炉中进行退火.利用X射线衍射仪(XRD)分析退火后的薄膜晶体结构,用电导率测试仪测试其暗电导率.研究结果表明,利用快速热退火晶化能够使非晶硅薄膜在较低温度下,在较短时间内发生晶化.