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摘要:
研究了改变本底真空对薄膜质量的影响,给出了在该系统中得到质量较高金刚石薄膜的最小本底真空值;阐述了降低灯丝温度对薄膜质量的影响.在较低压力下用甲烷氢气作碳源在1500~1700℃合成质量较高的金刚石薄膜,在灯丝温度为1300℃时,获得了微观形貌为球状物的薄膜.用扫描电镜、喇曼光谱和X-ray衍射(Cu靶)对结果进行分析.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 热丝法CVD生长金刚石薄膜的简化工艺研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 金刚石薄膜 热丝法化学气相沉积 本底真空 灯丝温度
年,卷(期) 2006,(7) 所属期刊栏目 制造技术
研究方向 页码范围 498-502
页数 5页 分类号 TB43
字数 3381字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.07.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘忆 辽宁工程技术大学材料系 25 313 10.0 17.0
2 刘刚 辽宁工程技术大学材料系 4 23 3.0 4.0
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研究主题发展历程
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金刚石薄膜
热丝法化学气相沉积
本底真空
灯丝温度
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半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
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18-65
1976
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