Ⅰ型锗基笼合物Ba8Ga16-xSbxGe30的合成及热电性能

• 作者: 唐新峰 张清杰 熊聪 祁琼 邓书康
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热电性能 笼合物 框架取代 合成
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6630-6636
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.075

摘要

用高温熔融结合放电等离子烧结(SPS)方法合成了Sb掺杂的单相n型Ba8Ga16-xSbxGe30化合物,探索了Sb对Ga的取代对其热电性能的影响规律.研究结果表明:随着Sb取代分数x的增加,Seebeck系数逐渐降低,Seebeck系数峰值对应的温度向低温方向偏移.电导率随着x的增加先增大后减小,当x=2时达到最大值.Sb取代Ga后对化合物的热性能有较大影响,其热导率和晶格热导率都有不同程度的降低.在所有n型Ba8Ga16-xSbxGe30化合物中,Ba8Ga14Sb2Ge30化合物的ZT值最大,在950 K左右其最大ZT值达1.1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张清杰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	97	1071	18.0	27.0
2	唐新峰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	78	440	12.0	18.0
3	邓书康	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	8	31	3.0	5.0
4	熊聪	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	6	55	4.0	6.0
5	祁琼	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	5	119	5.0	5.0