抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究

• 作者: 夏长生 李志锋 王茺 陆卫 陈效双
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/GaN发光二极管 光子运动轨迹 外量子效率
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 100-104
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 3207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.021

摘要

针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了模拟计算.结果表明:相对于平面衬底发光二极管,抛物线型衬底发光二极管可以充分利用发射到衬底中的光子,使其正向光子发射功率增加12.6倍,外量子效率提高1.22倍,同时具有发射准平行光的功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
2	陈效双	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	53	271	8.0	12.0
3	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	37	186	8.0	12.0
4	王茺	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	29	1.0	3.0
5	夏长生	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	29	1.0	1.0