生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

• 作者: 孙卓 王莉莉 陈婷
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 场发射平面显示器 丝网印刷 生长温度
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 123-128
• 页数: 6页
• 分类号: O462.4|TN873
• 字数: 2403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.01.023

摘要

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一.碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能.针对30～60英寸(76.2～152.4 cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度.结果表明生长温度越高(750 ℃),CNTs场发射性能越好.并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卓	华东师范大学纳米功能材料与器件应用研究中心	39	200	8.0	11.0
3	陈婷	华东师范大学纳米功能材料与器件应用研究中心	23	78	5.0	8.0
5	王莉莉	华东师范大学纳米功能材料与器件应用研究中心	3	27	3.0	3.0