AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质

• 作者: 孔月婵 张荣 沈波 焦刚 郑有炓 陈堂胜 陈敦军 陈诚 陶亚奇 陶春旻
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结构 二维电子气 高温输运
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1251-1254
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.019

摘要

采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高温段2DEG的迁移率主要受LO声子散射限制; 在室温,异质界面处的非均匀压电极化场对2DEG迁移率的散射也是一个主要的散射机制.同时,计算结果显示,随着温度升高,更多的电子跃迁到更高的子带,在更高的子带,其波函数逐渐扩展到AlGaN层内部以及GaN体内更深的位置,导致LO声子散射的屏蔽效应减弱且来自AlGaN层内的合金无序散射增强.