VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制

• 作者: 兰天平 牛沈军 王建利
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs晶体 VB-GaAs技术 硅掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 503-505
• 页数: 3页
• 分类号: O78|TN305.3
• 字数: 1938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.07.007

摘要

结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建利	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	28	2.0	4.0
2	牛沈军	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	40	4.0	6.0
3	兰天平	中国电子科技集团公司第四十六研究所	12	47	4.0	6.0