四甲基硅氧烷制备SiOx低表面能薄膜

• 作者: 周美丽 岳蕾 葛袁静 陈强
• 来源期刊: 包装工程
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 四甲基二硅氧烷 低表面能薄膜 SiOx薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 68-70
• 页数: 3页
• 分类号: TQ325
• 字数: 2557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3563.2006.04.025

摘要

采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜.在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数,研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角,从而计算薄膜的表面能,最终从结构分析上研究影响SiO2薄膜低表面能内在因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	125	542	10.0	17.0
2	葛袁静	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	27	150	8.0	10.0
3	周美丽	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	8	24	3.0	4.0
4	岳蕾	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	7	31	4.0	5.0