Ga2O3氮化法合成GaN粉体的研究

• 作者: 杨茂举 殷立雄 王芬 黄艳
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN粉体 Ga2O3 氨气 管式炉
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 3157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.010

摘要

在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体.通过XRD和AFM对生成物进行了分析,并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响.结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃,NH3流量为26L/h时能够合成高纯度的六方GaN粉体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王芬	陕西科技大学材料科学与工程学院	186	1121	17.0	22.0
2	殷立雄	陕西科技大学材料科学与工程学院	19	84	6.0	8.0
3	杨茂举	陕西科技大学材料科学与工程学院	2	7	1.0	2.0
4	黄艳	陕西科技大学材料科学与工程学院	8	64	5.0	8.0