多孔硅的有效场致发射

• 作者: 孙建刚
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 电子场发射 多孔硅薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 300-302,309
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2317字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.04.018

摘要

基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜.该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述.采用大约3.5V/μm的低通场在电流强度为0.1 μA/cm2处获得有效场致发射.在约12.5V/μm的叠加场下,PS薄膜的发射电流密度达到1mA/cm2.实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙建刚	山东大学物理与微电子学院	7	35	3.0	5.0