多层片式压敏电阻器的最新发展动向

• 作者: 吕呈祥 唐国翌 王兰义
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 多层片式压敏电阻器 综述 爬镀 水基流延 静电放电保护
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: TM546|TN379
• 字数: 4695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.12.003

摘要

介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向.在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时还要从环境保护和生产成本角度来考虑,采取水基流延制备工艺和采用新配方或纳米材料来降低压敏陶瓷烧结温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐国翌	清华大学深圳研究生院新材料研究所	65	861	17.0	26.0
2	王兰义	清华大学深圳研究生院新材料研究所	2	51	2.0	2.0
3	吕呈祥		2	26	2.0	2.0