CN1542905一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术

• 来源期刊: 磨料磨具通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石涂层 AL2O3 制备技术 陶瓷基片 电子 CVD技术 等离子体 气体混合物
• 年，卷（期）: zgcycl_2006,（11）
• 页码范围: 17
• 页数: 1页
• 分类号: TG711

摘要

本发明提供了一种金刚石涂层Al2O3，电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Al2O3，陶瓷基片上沉积出一层含有金刚石相和SiO2的复相薄膜；然后再采用等离子体CVD技术，在复相薄膜上，进一步沉积出金刚石涂层。本发明的优点在于：所获得的金刚石涂层Al2O3，陶瓷基片热导率高、涂层附着力好、制备方法简单、制备成本较低。