MoSi2和WSi2的价电子结构及性能分析

• 作者: 冉丽萍 彭可 易茂中
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: MoSi2 WSi2 价电子 硬度 导电率
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 页码范围: 1125-1129
• 页数: 5页
• 分类号: TG148
• 字数: 2933字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2006.11.002

摘要

根据固体与分子经验电子理论,对M0Si2和WSi2的价电子结构进行了定量的分析,通过键距差方法计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数.结果表明:在MoSi2和WSi2晶体中,沿<331>位向分布的Mo-Si和W-Si原子键最强,这些键上的共价电子数和键能分别影响化合物的硬度和熔点.晶体中晶格电子数影响其导电性和塑性,MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,因此MoSi2的导电性和塑性比WSi2好.并从键络分布的不均匀性解释了MoSi2和WSi2脆性产生的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冉丽萍	中南大学粉末冶金国家重点实验室	67	398	12.0	16.0
2	易茂中	中南大学粉末冶金国家重点实验室	144	1058	17.0	23.0
3	彭可	中南大学粉末冶金国家重点实验室	62	490	12.0	19.0