硅晶片化学机械抛光中的化学作用机理

• 作者: 陈志刚 陈杨 陈爱莲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 软质层 化学作用
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 112-114,126
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.02.010

摘要

通过分析硅晶片化学机械抛光过程中软质层的形成及其对材料去除过程的影响,研究了使用纳米CeO2磨料进行化学机械抛光中的化学作用机理.分析表明,软质层是抛光液与硅晶片反应形成的一层覆盖在硅基体表面的腐蚀层,其硬度比基材小,厚度大约在几个纳米.软质层的存在一方面增大单个磨料所去除材料的体积,增加材料去除速率;另一方面减小了磨料嵌入硅晶片基体的深度,这对于实现塑性磨削,降低抛光表面粗糙度,都起着重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志刚	江苏工业学院材料系	90	1299	21.0	30.0
2	陈爱莲	江苏工业学院机械系	15	138	7.0	11.0
3	陈杨	江苏工业学院材料系	32	404	13.0	18.0