CuPc/SiO2表面界面的电子状态研究

• 作者: 张福甲 朱海华 王永顺 胡加兴 陈金伙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CuPc/SiO2 X射线光电子能谱 表面界面分析
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1360-1366
• 页数: 7页
• 分类号: TN301.1
• 字数: 4406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.005

摘要

利用热生长工艺和热蒸发方法分别获得CuPc和SiO2薄膜层,通过原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面界面电子状态进行了研究,并采用高斯拟合方法对各谱进行了详细分析.结果表明,在氧原子的作用下,N1s,C1s,O1s 和Cu2p都经受了一定的化学位移,从而使得各原子间的相互作用强度有所改变,这是导致OFET性能劣化的重要原因之一.对OFET而言,采用溅射工艺制备的SiO2层应比热氧化生长的SiO2层更合适.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州大学物理科学与技术学院	8	67	5.0	8.0
2	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院	71	318	9.0	14.0
3	陈金伙	兰州大学物理科学与技术学院	7	22	3.0	4.0
4	胡加兴	兰州大学物理科学与技术学院	4	6	2.0	2.0
5	朱海华	兰州大学物理科学与技术学院	2	3	1.0	1.0