常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

• 作者: 刘卫华 戴江南 方文卿 李璠 江风益 王立 蒲勇 郑畅达
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 氧化镓 原子力显微镜 X射线衍射 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 417-420
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.03.027

摘要

以去离子水(H2O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga2O3薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga2O3外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为O.25°,表明该Ga2O3外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.