nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析

• 作者: 唐海侠 王启明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光子晶体 单缺陷腔 nc-Ge/Si岛
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2139-2143
• 页数: 5页
• 分类号: TN713
• 字数: 2824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.014

摘要

阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
2	唐海侠	中国科学院半导体研究所	8	45	4.0	6.0