Bi过量和Mn掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷

• 作者: 杜鹃 梁兴华 王矜奉 盖志刚 臧国忠 苏文斌 赵明磊 陈洪存
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 无铅压电陶瓷 掺杂 压电常数 机电耦合系数
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TM282
• 字数: 2284字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.04.001

摘要

采用传统电子陶瓷制备工艺制备(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得了d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷.对Bi的挥发进行了补偿,添加过量Bi2O3(摩尔分数z=0.08)的钛酸铋钠基压电陶瓷,d33高达218 pC/N.研究了Mn掺杂对钛酸铋钠基陶瓷压电、介电性能和损耗的影响,获得了高性能的无铅压电陶瓷,其中d33为214 pC/N,kt为0.44,k33为0.52.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵明磊	山东大学物理与微电子学院	26	307	9.0	17.0
2	王矜奉	山东大学物理与微电子学院	64	562	13.0	20.0
3	陈洪存	山东大学物理与微电子学院	40	335	12.0	15.0
4	盖志刚	山东大学物理与微电子学院	15	118	6.0	10.0
5	杜鹃	山东大学物理与微电子学院	18	147	7.0	11.0
6	苏文斌	山东大学物理与微电子学院	27	203	10.0	13.0
7	梁兴华	山东大学物理与微电子学院	2	22	2.0	2.0