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脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响
脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响
作者:
叶晓军
张书明
朱建军
李德尧
杨辉
梁骏吾
种明
赵德刚
陈良惠
黄永箴
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InGaN激光器
脊形波导
热模拟
阈值电流
斜率效率
摘要:
利用含时二维热传导模型分析了蓝宝石衬底上生长、制作的脊形InGaN激光器内波导层的温度分布和时间演化规律.由于较大的阈值电流和电压以及较差的衬底导热性能,脊形下波导层内会产生较高温升并在脊形内外形成较大的温度台阶.由于脊形波导的弱自建波导特性,这一温度台阶会对侧向模式的限制产生较大的影响.短脉冲工作下的时间分辨L-I测试以及时间分辨远场和光谱测试结果显示,脊形内外的温度台阶会改善波导对高阶模的限制,导致器件的阈值电流下降,斜率效率升高.而有源区的温升又会导致斜率效率的严重下降.
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文献信息
篇名
脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
InGaN激光器
脊形波导
热模拟
阈值电流
斜率效率
年,卷(期)
2006,(3)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
499-505
页数
7页
分类号
TN365
字数
1608字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.022
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
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参考文献
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研究主题发展历程
节点文献
InGaN激光器
脊形波导
热模拟
阈值电流
斜率效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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