300#反应堆单晶硅掺杂质量控制

• 作者: 陈炜
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 300#反应堆 硅 掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 页码范围: 161-163
• 页数: 3页
• 分类号: TL99
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2006.z1.037

摘要

300#反应堆在二十世纪80年代开始开展单晶硅掺杂,目前有6根管道用于硅样品辐照.通过对热中子注量计算和辐照中热中子注量监测的控制,得出目标电阻率命中率达到90%以上.采用旋转电机在辐照中旋转硅样品的方法,控制硅样品径向掺杂的不均匀性小于5%,利用管道轴向中子注量率平坦区,并进行适当的位置调整,控制硅样品轴向掺杂的不均匀性小于5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈炜	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	12	10	2.0	2.0