Ku波段20W GaAs功率PHEMT

• 作者: 钟世昌 陈堂胜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: T型栅 GaAs PHEMT 内匹配
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1804-1807
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2077字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.021

摘要

报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT.在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制,实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率.采用该工艺制作了总栅宽为19.2mm的功率PHEMT.用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹配功率管在14.0～14.5GHz频带内,输出功率大干20W,功率增益大于6dB,典型功率附加效率为31%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜		56	225	8.0	12.0
2	钟世昌		15	22	3.0	3.0