两种自主开发的图形外延SiGe工艺

• 作者: 刘志弘 徐阳 王飞 许军 钱佩信
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 图形外延 SiGe 超高真空化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 389-391
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.096

摘要

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
2	刘志弘	清华大学微电子学研究所	20	75	4.0	8.0
3	王飞	清华大学微电子学研究所	36	250	10.0	13.0
4	徐阳	清华大学微电子学研究所	11	45	4.0	6.0
5	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0