基于分子模拟技术的极端高温条件下材料介电性能的初步研究

• 作者: 冯武彤 崔浩 成永红 谢小军 赵磊 陈小林
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子模拟 极端高温 介电性能
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 第十届工程电介质会议专题二
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TM21
• 字数: 5096字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-6753.2006.04.001

摘要

介绍了分子模拟技术及其数学基础和常用的分子模拟软件,然后以氧化硅晶体为例介绍了分子模拟的计算方法,研究了氧化硅材料极端高温下的介电性能,分析了分子模拟的计算结果.结果显示分子模拟技术在研究材料介电性能方面是可行的,表明该方法是一个有着巨大潜力的研究领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成永红	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	78	1073	18.0	27.0
2	赵磊	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	13	87	5.0	9.0
3	陈小林	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	28	362	12.0	17.0
4	谢小军	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	11	289	9.0	11.0
5	崔浩	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	60	2.0	2.0
6	冯武彤	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	1	9	1.0	1.0