在抗坏血酸存在下用L-赖氨酸修饰玻碳电极测定多巴胺

• 作者: 许兵 邵会波 陈静 黄燕生
• 来源期刊: 化学通报（印刷版）
• 学科: 工学
• 关键词: L-赖氨酸修饰电极 多巴胺 抗坏血酸 循环伏安 差分脉冲伏安
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 656-660
• 页数: 5页
• 分类号: TM91
• 字数: 4057字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0441-3776.2006.09.009

摘要

采用电化学氧化法制备了L-赖氨酸单分子层修饰玻碳电极,研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在该电极上的电化学行为.结果表明,L-赖氨酸单分子层修饰玻碳电极不仅能改善多巴胺和抗坏血酸的电化学行为,而且能将多巴胺和抗坏血酸二者在裸电极上的完全重叠的单氧化峰分开成为两个完全独立的氧化峰,循环伏安(CV)图上峰间距为507mV,差分脉冲伏安(DPV)图上峰间距为460mV,由此可实现在AA的共存下对样品中的DA进行选择性测定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵会波	首都师范大学化学系	10	44	4.0	6.0
5	陈静	首都师范大学化学系	8	10	2.0	3.0
6	黄燕生	首都师范大学化学系	2	10	2.0	2.0
7	许兵	北京理工大学理学院化学系	5	18	3.0	4.0