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毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片
毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片
作者:
李拂晓
蒋幼泉
许正荣
陈新宇
黄子乾
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
毫米波
GaAs
pin二极管
单刀单掷
开关
单片
摘要:
采用GaAs pin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20~40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.
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单刀二掷开关
PIN二极管
插损
隔离度
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
毫米波
GaAs
pin二极管
单刀单掷
开关
单片
年,卷(期)
2006,(12)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
2163-2166
页数
4页
分类号
TN43
字数
2284字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.019
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蒋幼泉
34
192
9.0
11.0
2
李拂晓
60
352
10.0
14.0
3
黄子乾
8
12
2.0
3.0
4
陈新宇
26
101
7.0
8.0
5
许正荣
6
17
2.0
4.0
传播情况
被引次数趋势
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(0)
二级引证文献
(0)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
毫米波
GaAs
pin二极管
单刀单掷
开关
单片
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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