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摘要:
采用GaAs pin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20~40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.
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单刀双掷
开关
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单刀二掷开关
PIN二极管
插损
隔离度
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 毫米波 GaAs pin二极管 单刀单掷 开关 单片
年,卷(期) 2006,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2163-2166
页数 4页 分类号 TN43
字数 2284字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋幼泉 34 192 9.0 11.0
2 李拂晓 60 352 10.0 14.0
3 黄子乾 8 12 2.0 3.0
4 陈新宇 26 101 7.0 8.0
5 许正荣 6 17 2.0 4.0
传播情况
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引文网络
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2006(0)
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研究主题发展历程
节点文献
毫米波
GaAs
pin二极管
单刀单掷
开关
单片
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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