反应离子刻蚀加工工艺技术的研究

• 作者: 史铁林 廖广兰 来五星 杨叔子
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 工艺 反应离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光刻技术)
• 页码范围: 414-417
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.06.004

摘要

反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3 μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的工艺措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史铁林	华中科技大学机械学院机电系	192	2245	25.0	38.0
2	来五星	华中科技大学机械学院机电系	23	386	10.0	19.0
3	杨叔子	华中科技大学机械学院机电系	273	4593	37.0	59.0
4	廖广兰	华中科技大学机械学院机电系	64	654	12.0	24.0