GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型

• 作者: 周卫 熊小明 郭世岭
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsMESFET 脉冲微波功率放大器 自热效应 瞬态热模型
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究设计
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: TM93
• 字数: 2599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-7300.2006.05.016

摘要

GaAs MESFET微波功率放大器工作在脉冲周期状态下,由于自热效应,在很短的时间内(100 μs数量级),芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度的变化,这种剧烈的温度变化导致功放性能的变化也是不能忽略的.本文通过建立、求解热扩散方程及能量平衡方程,建立起沟道温度的一维瞬态热模型.