两种不同(Ba,Sr)TiO3薄膜介电-温度特性的研究

• 作者: 唐秋文 方亮 沈明荣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 脉冲激光沉积 介电弛豫
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1346-1350
• 页数: 5页
• 分类号: O53
• 字数: 3162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.03.058

摘要

研究并比较了两种不同(Ba0.5,Sr0.5)TiO3(BSTO)薄膜介电-温度特性.采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备BSTO薄膜,发现制备条件的不同,可以得到介电性质完全不同的BSTO薄膜.在550℃和氮气氛下制备的BSTO薄膜在常温下具有很高的介电常数,在10kHz下,超过2500,并在200K温度以上介电常数基本不变.它的一些电学性质不同于在正常条件(650℃和氧气氛下)制得的BSTO薄膜,而类似于目前广泛报道的巨介电常数材料如CaCu3Ti4O12.两种薄膜介电性质测试结果表明: 氧气氛下制备的BSTO薄膜呈现铁电-顺电相变,符合居里-外斯定律;低温氮气氛下制备的BSTO薄膜,介电弛豫时间和温度的关系符合德拜模型,是热激发弛豫.文中给出了产生这种介电特性的初步解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方亮	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	23	132	5.0	10.0
2	沈明荣	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	24	104	6.0	8.0
3	唐秋文	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	1	0	0.0	0.0