4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究

• 作者: 张义门 张玉明 郜锦侠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 隐埋沟道 MOSFET 迁移率 串联电阻 界面态
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 283-289
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 1718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.016

摘要

研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响.提出了一个简单的模型用来定量分析串联电阻对迁移率的影响.串联电阻不仅会使迁移率降低,还会使峰值场效应迁移率所对应的栅压减小.峰值场效应迁移率和串联电阻的关系可用一个二次多项式来准确描述.详细分析了均匀分布和不均匀分布的界面态对场效应迁移率的影响.对于指数分布的界面态,低栅压下界面态的影响基本上可以忽略不计,随着栅压的增加,界面态的影响越来越显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	郜锦侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	8	42	3.0	6.0