GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究

• 作者: 周伟 朱磊 杜江锋 杨谟华 罗大为 罗谦 靳翀 龙飞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 表面态 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 856-858,867
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1958字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.11.015

摘要

设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关.测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律.薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感,而在高频时出现饱和.当信号频率足够高时(≥4kHz),AlGaN/GaN薄膜将呈现高阻,器件关断,说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽.该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据.